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　　供需缺口推升价格中枢。大模型向思维链（CoT）机制及多模态演进，推动数据吞吐量指数级跃升，直接拉动高性能存储需求。供给端，海外原厂（三星、SK海力士等）执行严格控产策略，HBM及先进DRAM产能被锁定，导致常规存储市场面临显著供需缺口。TrendForce预计，在AI对存储需求的激增与原厂控产的双重作用下，2025年DRAM大幅涨价，2026年有望持续。AI大模型驱动存储向3D化演进，叠加长鑫、长存等扩产项目落地，国产半导体设备产业链有望迎来新一轮高速增长机遇。可关注半导体设备ETF等产品。